NBTI机制下运算放大器的性能退化分析及其可靠性设计

• 作者: 李小进 石艳玲 花修春
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟电路 可靠性 SPICE仿真 NBTI效应 可靠性设计
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 591-595
• 页数: 5页
• 分类号: TN721.2
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.03.018

摘要

随着CMOS器件尺寸的不断缩小，集成电路设计阶段的可靠性问题变得愈加重要，NBTI效应作为重要的可靠性问题之一得到了大量的研究，并从电路级对其提出了改进。采用等效电路模型表征NBTI退化对模拟电路的影响，研究了两级运算放大器在NBTI效应影响下电路参数的退化，分析并确定了影响传统两级运算放大器性能的关键器件。在此基础上，对传统运放结构进行改进，引入反馈，使-3 dB带宽的退化量由27%降到了1%左右，从而减小NBTI退化对电路性能的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息科学技术学院	47	205	8.0	12.0
2	李小进	华东师范大学信息科学技术学院	32	83	5.0	7.0
3	花修春	华东师范大学信息科学技术学院	1	0	0.0	0.0