H2S对Hg在CeO2表面吸附的影响机理

• 作者: 侯文慧 周劲松 周启昕 孟帅琦 骆仲泱 高翔
• 来源期刊: 能源工程
• 学科: 地球科学
• 关键词: H2S 汞 二氧化铈 密度泛函理论 影响机理
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 能源与环境
• 页码范围: 30-35
• 页数: 6页
• 分类号: X382.1
• 字数: 1916字
• 语种: 中文

摘要

建立了金属氧化物吸附剂CeO2(111)表面的结构模型,首先计算了H2S、HS、S在CeO2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明H2S会在CeO2(111)表面依次分解为HS与单质S;随后计算了Hg在S-CeO2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明Hg会与CeO2(111)表面的单质S结合成键形成稳定的HgS,结合能为-52.829 eV,属于强烈的化学吸附,从微观上发现了H2S的存在对单质汞在CeO2表面的吸附有促进作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高翔	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	256	5060	34.0	61.0
2	骆仲泱	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	528	12098	57.0	79.0
3	周劲松	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	98	2937	32.0	52.0
4	侯文慧	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	6	62	5.0	6.0
5	周启昕	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	6	6	2.0	2.0
6	孟帅琦	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	4	18	3.0	4.0