TFT-LCD高温光照漏电流改善研究

• 作者: 王晏酩 肖红玺 蒋会刚
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 高温光照漏电流 TFT沟道 TFT特性 沟道厚度
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 283-289
• 页数: 7页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163103.0283

摘要

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱.TFT LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏.分析研究表明,TFT沟道在刻蚀完成后,沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱,平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应,导致铟的析出,所以无法采用氢处理.理论分析表明Si-O键稳定,本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流.结果表明,通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后,高温光照漏电流从18.19 pA下降到5.1 pA,可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋会刚		2	4	2.0	2.0
2	肖红玺		2	7	2.0	2.0
3	王晏酩		3	9	2.0	3.0