缺陷对二维碳化硅结构的影响

• 作者: 安玉凤 戴振宏 陈庆玲
• 来源期刊: 烟台大学学报（自然科学与工程版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 带隙调控 磁性材料 碳化硅 空位缺陷
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 252-257
• 页数: 6页
• 分类号: O471
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2016.04.004

摘要

研究了单空位和双空位缺陷对碳化硅结构的影响.缺陷的存在明显地改变了碳化硅结构的带隙,C原子单空位缺陷转变为直接带隙半导体,带隙甚至减少到0．01 eV.通过对体系磁性的计算,我们发现Si原子的单空位缺陷和双空位缺陷均为体系带来了磁性,磁性的产生主要是由于Si原子缺陷的存在使得缺陷周围的C原子在缺陷处产生了未成对电子,从而体系产生了磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴振宏	烟台大学光电信息科学技术学院	37	132	7.0	10.0
2	安玉凤	烟台大学光电信息科学技术学院	2	1	1.0	1.0
3	陈庆玲	烟台大学光电信息科学技术学院	2	1	1.0	1.0