微电路耐高过载技术研究和发展浅述

• 作者: 夏俊生 李寿胜 肖雷
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 耐高过载 技术研究和发展 基板 组装和封装
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN406

摘要

耐高过载技术研究主要有两个重要方向，其一是产品对象的外在耐高过载加固和缓冲防护技术，其二是器件自身的结构、工艺和材料技术。影响基板自身抗过载水平的主要因素包括基体材料、基板尺寸和结构等。为保证元件具有足够的粘接强度来承受高过载冲击，分别针对元件与基板粘接、基板与外壳粘接采取了专门的粘接和加固技术。为有效提高电路封装结构耐高过载能力，在金属外壳封装结构设计、封装内基板分割设计等方面采用了专门的技术措施。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏俊生		17	2	1.0	1.0
2	李寿胜		8	2	1.0	1.0
3	肖雷		6	4	1.0	2.0