IGBT热模型的硬件在环实时仿真方法研究

• 作者: 殷桂来 霍锋伟 高瑾 黄苏融
• 来源期刊: 电机与控制应用
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT损耗及温升 现场可编程门阵列 硬件在环
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 22-28
• 页数: 7页
• 分类号: TM301.2
• 字数: 4247字
• 语种: 中文

摘要

在现有电压源型三相桥式逆变器的理想硬件在环( HIL)实时仿真模型的基础上,建立了IGBT损耗及温升的HIL实时仿真模型. 模型是在基于FPGA的HIL平台上搭建. 采用数据手册结合线性插值的方法建立了IGBT损耗模型. 采用等效热网络电路方法,建立了IGBT温升模型. 同时也可根据散热器结构参数计算热阻,增强了模型的适用性. 为了扩展模型的实用性,采用LabVIEW进行了上位机通信设计,实现了模型参数实时输入功能,以及模型数据实时采集并传输到上位机界面显示功能. 最后将MATLAB仿真模型与HIL实时仿真模型进行对比,以验证模型的数据精度,并与实物测试进行对比,以验证模型的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄苏融	上海大学机电工程与自动化学院	96	1066	19.0	27.0
2	高瑾	上海大学机电工程与自动化学院	20	218	10.0	14.0
3	殷桂来	上海大学机电工程与自动化学院	2	1	1.0	1.0
4	霍锋伟	上海大学机电工程与自动化学院	2	1	1.0	1.0