砷化镓光导开关中电流丝875 nm辐射的光致电离效应

• 作者: 刘鸿 郑理
• 来源期刊: 成都工业学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 砷化镓光导开关 电流丝 光生载流子密度
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造工程
• 页码范围: 61-62,74
• 页数: 3页
• 分类号: TN365
• 字数: 1618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13542/j.cnki.51-1747/tn.2016.02.017

摘要

研究高增益砷化镓光导开关中875 nm自发辐射产生的载流子密度分布特征。导出电流丝一端875 nm辐射的光致电离效应规律，计算电流丝一端875 nm自发辐射产生的载流子密度。计算结果表明：紧邻电流丝顶部处的光生载流子密度最大。比较发现875 nm自发辐射的最大光生载流子密度大于890 nm自发辐射的最大光生载流子密度至少1个数量级，但是小于电流丝内载流子密度1～2个数量级。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑理	成都工业学院机械工程学院	9	11	2.0	3.0
2	刘鸿	成都学院电子信息工程学院	6	1	1.0	1.0