非易失半导体存储器技术

• 作者: 刘明
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失存储器 闪存 电荷俘获存储器 阻变存储器
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 武汉光电论坛
• 页码范围: 6-9
• 分类号: TP333.5
• 语种: 中文

摘要

非易失存储器是集成电路最重要的技术之一,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域,有着巨大的市场.目前主流的非易失存储技术——基于浮栅结构的“闪存”,尺寸微缩已接近其物理极限,难以继续提高其存储密度和性能来满足大数据时代对信息存储和处理的需求.介绍了国际及中国存储器产业发展现状和面临的挑战、非易失存储器的学术研究态势及微电子所在该领域的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0