金属氧化物型阻变存储器编程方案的优化设计

• 作者: 张峻豪
• 来源期刊: 科技与创新
• 学科: 地球科学
• 关键词: 非易失性存储器 编程方案 均一性 可靠性
• 年，卷（期）: 2024,（12）
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.15913/j.cnki.kjycx.2024.12.011

摘要

近年来,随着半导体技术的快速发展及各种智能产品的普及,消费者对存储器的性能要求越来越高,但经过几十年的快速发展,目前主流的非易失性存储器尺寸已逼近物理极限.阻变存储器(RRAM)因其良好的扩展性、更低的功耗、更快的操作速度,成为未来新型非易失性存储器的主要候选者之一.阻变存储器虽然展现出巨大的应用潜力,但目前技术还不够成熟,主要表现在器件可靠性不足.提出并验证了一种优化的脉冲编程方案,不需要特别的工艺或电路设计,通过脉冲编程波形的优化改善了RRAM器件阻值的均一性.