水热法生长ZnO∶Ga晶体过程及性能研究

• 作者: 任孟德 左艳彬 张一骐 王金亮 雷威
• 来源期刊: 超硬材料工程
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO∶Ga 水热法 晶体 过程 性能
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 珠宝专栏
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3486字
• 语种: 中文

摘要

采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了ZnO:Ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因.在D工艺条件下(4MKOH +0.25M LiOH+1.25mlH2O2,360-340℃)获得了生长速度适宜、高质量的ZnO:Ga单晶,晶体最大尺寸达到32.36 mm×27.46 mm×5.52 mm.Ga:ZnO晶体的生长习性为形成一个单锥六棱具有显露p锥面即(101-1)和负极面(0001-)的柱体,而柱显露m面(101-0)发生退化.测试ZnO:Ga晶体的双晶摇摆曲线显示晶体具有优良的结晶质量,其中+c[002]晶面的FWHM为11arc sec,而-c晶面的结晶质量略低于+c方向,FWHM为17arc sec.较之纯ZnO晶体,Ga:ZnO晶体在750nm处透过率曲线开始下降,其在大于750nm波长的可见及红外光区的特异吸收性能将具有广泛的应用前景.