GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应

• 作者: 刘美琴 李勇 杨志强 贡顶 黄志娟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 高功率微波 MOSFET 静电放电器件 半导体 数值模拟
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 120-125
• 页数: 6页
• 分类号: O441.4
• 字数: 3107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.033024

摘要

采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下GGMOS型的静电放电(ESD)防护器件效应进行了数值模拟研究.对ESD器件在HPM作用下的响应特性及器件内部的物理图像进行了数值模拟.数值模拟的结果表明,外部注入HPM信号的幅值和频率是影响ESD器件的因素,在加载30 ns脉宽的HPM脉冲作用下,器件内部达到的最高温度与信号幅值成正指数关系.在给ESD注入相同幅值的HPM信号时,频率越大,器件达到失效温度所需要的时间越长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志强		14	84	4.0	9.0
2	李勇		12	49	3.0	6.0
3	刘美琴	西安交通大学电子信息学院	7	6	2.0	2.0
4	黄志娟	西安交通大学电子信息学院	2	0	0.0	0.0
5	贡顶		1	0	0.0	0.0