含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长

• 作者: L(O)SER Wolfgang 于金丽 刘林 宋绪丁 张军 徐义库 王丹丹 肖君霞 郝建民
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 悬浮区熔 单晶生长 稀土化合物 胞状组织
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TG132.2
• 语种: 中文

摘要

新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点.本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶.采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体.研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题.