宽带隙半导体CdAl2 S4电子结构、弹性和光学性质的研究

• 作者: 张丽丽 焦照勇 马淑红
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 宽带隙半导体材料 光学性能 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 357-361
• 页数: 5页
• 分类号: O472|O472+.3
• 字数: 2805字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.1000-0364.2016.04.030

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对宽带隙半导体CdAl2 S4的晶格结构、电学、弹性和光学性能进行了系统的研究.研究结果表明:CdAl2 S4为直接带隙的宽带隙半导体材料;是弹性稳定的具有各向异性的延展性材料;该晶体的光学性质在中能区(3.5~12.5 eV)具有较强的各向异性,其强反射峰处于紫外能量区域,因此其可用作紫外光探测或屏蔽材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦照勇	河南师范大学物理与电子工程学院光电子技术及先进制造河南省工程实验室	26	47	3.0	5.0
2	马淑红	河南师范大学物理与电子工程学院光电子技术及先进制造河南省工程实验室	20	38	3.0	5.0
3	张丽丽	河南师范大学物理与电子工程学院光电子技术及先进制造河南省工程实验室	1	3	1.0	1.0