碳化硅热中子探测器的优化设计

• 作者: 吴健 张少华 蒋勇
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MC模拟 中子探测 半导体探测器
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 439-443
• 页数: 5页
• 分类号: TL816+.3
• 字数: 2626字
• 语种: 中文

摘要

采用MC法对用于热中子探测的碳化硅探测器开展设计.优化了中子转换层参数和半导体器件参数,研究表明采用1oB作为中子转换材料,其最优厚度为2μm,在系统甄别阈为300 keY时对应的探测效率理论值为3.29％.制备了碳化硅外延层厚度20μm,灵敏区面积5 mm×5mm的碳化硅器件,在外加反向偏压达180V时,其漏电流仅20.8 nA.性能测试表明:该器件对4.7-6.0 MeV的α粒子具有极好的能量线性,其线性度达0.999 97.对5.49 MeV的α粒子的能量分辨率为1.03％,对应半高宽57.3keY,与SiC高分辨α探测器分辨率相当.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张少华	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	6	20	2.0	4.0
2	吴健	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	8	12	2.0	3.0
3	蒋勇	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	14	42	4.0	5.0