碳化硅RSD的二维数值模型研究

• 作者: 刘程 梁琳
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反向开关晶体管 碳化硅 数值模型
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 105-108
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 2978字
• 语种: 中文

摘要

在此通过实验进一步证实了高耐压的硅基反向开关晶体管(RSD)有更高的开通电压峰值,说明采用宽禁带碳化硅(SiC)的必要性.基于半导体物理基本方程,考虑载流子迁移率模型、SRH复合、俄歇复合、碰撞电离效应及禁带变窄效应等,采用典型4H-SiC材料物理参数,建立了SiC RSD二维数值模型,同时结合电路模型模拟了SiC RSD的开通过程,得到不同耐压等级的SiC RSD的开通电压、电流波形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学光学与电子信息学院	39	240	8.0	14.0
2	刘程	华中科技大学光学与电子信息学院	2	6	2.0	2.0