氦离子行为与钨中相关缺陷演化的研究

• 作者: 卢晓波 吴双 张元元 王勇 王康 王玲 邓爱红
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 钨 离子注入 氦 空位型缺陷 慢正电子束分析
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1345-1348
• 页数: 4页
• 分类号: TB31
• 字数: 2842字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.0490-6756.2016.11.027

摘要

本文通过离子注入向钨体中注入100 keV氦离子,并使用慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同注量的氦在钨体内的行为以及氦相关缺陷的演化.实验结果表明:在不同的氦注量条件下,样品的S-W参数呈相同线性分布显示氦离子的注入会引入同一类型的空位型缺陷,并且随着氦离子注量增加,S参数的增大表明引入空位型缺陷浓度的逐渐增加.通过与其他未退火样品对比发现样品退火后的S参数出现明显改变,该结果表明相对于其他影响因素如注量,钨中空位型缺陷更容易受热效应的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	四川大学物理科学与技术学院	156	990	17.0	26.0
2	邓爱红	四川大学物理科学与技术学院	26	66	5.0	6.0
3	王玲	四川大学原子核科学与技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	111	310	10.0	12.0
4	吴双	西南民族大学电气信息工程学院	13	25	3.0	4.0
5	王康	四川大学物理科学与技术学院	10	9	2.0	2.0
6	卢晓波	四川大学物理科学与技术学院	3	7	2.0	2.0
7	张元元	四川大学物理科学与技术学院	5	4	1.0	2.0