退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究

• 作者: 刘莉 卢晓波 张元元 王康 邓爱红 郑明秀
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 钨 氦 离子注入 空位型缺陷 慢正电子束
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 605-608
• 页数: 4页
• 分类号: TB31
• 字数: 3349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2018.03.031

摘要

本文通过离子注入向钨体中注入能量为100 keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学物理科学与技术学院	26	66	5.0	6.0
2	刘莉	西南民族大学计算机科学与技术学院	32	154	6.0	10.0
3	王康	四川大学物理科学与技术学院	10	9	2.0	2.0
4	卢晓波	四川大学物理科学与技术学院	3	7	2.0	2.0
5	张元元	四川大学物理科学与技术学院	5	4	1.0	2.0
6	郑明秀	西南民族大学计算机科学与技术学院	12	121	4.0	11.0