基于最小变电容结构的数控 LC 振荡器

• 作者: 吴朝晖 李斌 王银强
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 最小变电容 数控振荡器 调频精度 LC振荡器 全数控
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.13245/j.hust.160514

摘要

提出了一种数控最小变电容结构，采用互补型变容管两端跨接固定电容结构，可以使用较大尺寸变容管实现较小的最小变容值，从而减小了工艺误差对设计结果的影响，同时解决了大摆幅振荡信号下的非线性问题，缓解失配电容对失配率一致性对最小变容值的影响．在相同工艺下，最小变电容值减小接近50％．采用180 nm CMOS工艺，基于最小变电容结构设计了全数控LC振荡器，通过改变各级数控变电容阵列的结构，提高全数控LC振荡器的频率分辨率．仿真结果表明：提出的最小变电容结构可实现7．42 aF的最小变电容值；全数控LC振荡器的振荡频率范围为3．2～3．8GHz，输出电压摆幅为1．75V，中心谐振频率3．5GHz的相位噪声为－1．2×10－4 dBc／Hz ，归一化价值因子FOM 为211；在相位噪声、功耗、FOM 等性能指标维持在同等水平的前提下，调频精度显著提高．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学电子与信息学院	128	542	12.0	17.0
2	吴朝晖	华南理工大学电子与信息学院	24	40	3.0	5.0
3	王银强	华南理工大学电子与信息学院	1	2	1.0	1.0