Ho3+掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与光谱特性

• 作者: 储耀卿 张彦 徐家跃 杨波波 温裕贤
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅酸铋晶体 坩埚下降法 晶体生长 钬掺杂 光谱性能
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 页码范围: 1446-1450
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.10.09

摘要

采用坩埚下降法生长了尺寸为?25 mm×100mm的Ho3+掺杂的Bi4Si3O12(BSO：Ho)晶体，研究了所得晶体的透射光谱、激发光谱、发射光谱等特性。结果表明：BSO：Ho晶体透射光谱与纯BSO晶体基本一致，在350~800 nm波长范围的透过率约为80%，吸收边在286 nm处；在360、454和537 nm处存在与Ho3+有关的吸收峰；激发光谱在240~310 nm波段出现1个宽的激发带，峰值在290 nm左右；发射光谱中除480 nm发射带外，在573 nm附近有多个与Ho3+有关的尖锐发射峰。BSO：Ho晶体的主要发光分量的荧光衰减时间为94.41 ns，表明掺杂0.1%Ho3+(摩尔分数)有利于提高BSO晶体的闪烁性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张彦	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	14	24	3.0	3.0
2	徐家跃	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	87	198	6.0	9.0
3	杨波波	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	12	28	4.0	4.0
4	储耀卿	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	6	10	2.0	3.0
5	温裕贤	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	1	1	1.0	1.0