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摘要:
作为有利于节能的逆变器所用的功率器件,富士电机公司己开发出高耐压低损耗的Sic混合模块。该混合模块采用YSiC—SBD芯片和最新第6代[V系列]IGBT芯片,并确认在300A的产品中,与原来Si模块比较,产生的损耗约下降25%,由于高耐NSiC混合模块器件本身损耗的大幅度降低,这对逆变器的高效率化极为有利。
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内容分析
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文献信息
篇名 高耐压、低损耗SiC混合模块的开发
来源期刊 磁性元件与电源 学科 工学
关键词 SiC混合模块 功率器件 续流二极管(FWD) 逆变器 开关特性 损耗
年,卷(期) 2016,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 154-158
页数 5页 分类号 TM5
字数 语种
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邓隐北 9 2 1.0 1.0
2 张慧敏 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiC混合模块
功率器件
续流二极管(FWD)
逆变器
开关特性
损耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
磁性元件与电源
月刊
2522-6142
广州市天河区中山大道中启星商务中心D座5
出版文献量(篇)
4500
总下载数(次)
33
总被引数(次)
0
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