Y2 O3/Si 界面电学特性研究

• 作者: 张玉明 王旭 贾仁需
• 来源期刊: 中国科技论文
• 学科: 物理学
• 关键词: Y2O3/Si界面 退火 界面态密度 击穿电场
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 513-515
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1291字
• 语种: 中文

摘要

为了研究不同退火温度对 Y2 O3/Si 界面电学特性的影响,对 Y2 O3/Si 界面做快速热退火处理。用 C-V 和 I-V 方法对Al/Y2 O3/Si/Al MOS 电容进行电学特性测试。结果表明：界面态密度随着退火温度升高而减小,此外,经400℃退火后,MOS电容有最大的击穿场强(5 MV/cm),这是由于在400℃退火条件下陷阱密度减小,界面特性改善；由于 Y2 O3的结晶温度低,在500℃下 Y2 O3结晶,形成漏电路径,导致漏电流增加,击穿场强减小,在600℃时击穿电场仅有1.5 MV/cm；由以上结果可以得出,随着退火温度的增加,界面陷阱密度会减小,但高温(>500℃)会使 Y2 O3结晶,导致漏电流增大,击穿电场减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明	西安电子科技大学微电子学院	126	777	15.0	20.0
2	王旭	西安电子科技大学微电子学院	26	137	8.0	10.0
3	贾仁需	西安电子科技大学微电子学院	12	53	4.0	7.0