Co2O3掺杂对Pb(Ni1/3Nb2/3)(Zr,Ti)O3压电陶瓷电学性能及介电弛豫的影响

• 作者: 彭贵贵 胡顺敏 郑德一
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钴掺杂 介电弛豫 电学性能
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 380-386
• 页数: 7页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.03.05

摘要

采用氧化物粉末固相烧结法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5(Zr0 3Ti0 7)0.5O3-wCo2O3(0.5PNN-0.5PZT-wCo)压电陶瓷.研究了Co2O3掺杂含量对0.5PNN-0.5ZT压电陶瓷相结构、显微组织、电学性能及介电弛豫的影响.结果表明:Co3+掺杂进入主晶体结构中占据了B位.当0.2％≤w≤0.8％(质量分数)时,样品为单一稳定的钙钛矿结构,存在准同型相界;通过修正Curie-Weiss定律,较好地描述了陶瓷弥散相变的特征,弥散相变系数γ随着Co2O3掺杂量的增加,先增加后减小,当w=0.4％时,γ达到最大值,表明样品的介电弛豫特征更为明显.样品具有最佳的综合电学性能,压电常数d33=675 pC/N,机电耦合系数kp=60％,介电常数εr和介电损耗tanδ分别约为5 765和1.16％,说明介电弛豫行为与电学性能相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭贵贵	贵州大学材料与冶金学院	6	19	2.0	4.0
2	郑德一	贵州大学材料与冶金学院	8	28	3.0	5.0
3	胡顺敏	贵州大学材料与冶金学院	6	19	2.0	4.0