OsSi2电子结构及介电性能的第一性原理研究

• 作者: 余志强 廖红华 张华 张昌华
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 外延生长 二硅化锇 电子结构 介电性能
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: O481.1
• 字数: 2249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.12.032

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硅基异质外延的OsSi2的电子结构和介电性能.结果表明,在1.010 nm≤a≤1.030 nm范围内,OsSi2始终为间接带隙的能带结构,且带隙值随晶格常数a的增大而逐渐减小;当品格常数a为1.020 nm时,体系处于稳定平衡态,此时OsSi2具有0.625 eV的间接带隙能量值;OsSi2的价带主要由Os的5d、5p和Si的3s、3p态电子构成,导带主要由Si的3s、3p和Os的5d、6s态电子构成;OsSi2在外延稳定平衡态及其附近的介电函数实部和虚部变化趋近一致,与块体OsSi2相比,OsSi2在外延稳定平衡态下的介电函数曲线相对往低能区飘移,OsSi2的介电峰减少且介电峰强度明显增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖红华	湖北民族学院信息工程学院	71	326	10.0	15.0
2	张昌华	湖北民族学院信息工程学院	28	131	6.0	10.0
3	余志强	湖北民族学院信息工程学院	19	53	4.0	6.0
4	张华	湖北民族学院信息工程学院	21	143	6.0	11.0