硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究

• 作者: 余志强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 第一性原理 OsSi2 电子结构 光电特性
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 378-385
• 分类号: O613.71
• 字数: 5616字
• 语种: 中文

摘要

基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法, 对Si（111）基外延稳定正交相OsSi2的能带结构、 态密度以及光电特性进行了研究. 研究结果表明, Si（111）基外延稳定正交相的OsSi2是一种间接带隙半导体, 禁带宽度为0.625 eV; 其价带主要是由硅的3s, 3p态电子和锇的5d态电子构成, 导带主要由锇的5d态电子与硅的3s, 3p态电子构成; 其静态介电函数为15.065, 折射率为3.85, 吸收系数最大峰值为3.9665× 105 cm-1. 利用理论计算的能带结构和态密度研究了Si（111）基外延稳定正交相OsSi2的介电函数、折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的变化规律, 为Si（111）基外延OsSi2的应用提供了理论基础.