OsSi_2电子结构和光学性质的研究

• 作者: 崔冬萌 李旭珍 谢泉 赵凤娟 陈茜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: OsSi_2 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2016-2021
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对正交相OsSi_2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.813 eV;其价带主要由Os的5d和Si的3p态电子构成;导带主要由Si的3s,3p以及Os的5d态电子构成;静态介电常数ε_1(O)=15.43;折射率n=3.93.并利用计算的能带结构和态密度分析了OsSi_2的介电函数、吸收系数、折射率、反射率、光电导率和能量损失函数的计算结果,为OsSi_2的设计与应用提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	陈茜	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	45	194	9.0	12.0
3	崔冬萌	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	12	34	3.0	5.0
4	赵凤娟	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	12	49	3.0	7.0
5	李旭珍	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	15	1.0	3.0