Si基Ge材料在材料生长及探测器研制方面的主要进展探讨

• 作者: 蔡志猛
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: Ge 光电探测器 外延
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 字数: 1867字
• 语种: 中文

摘要

硅基硅锗材料由于与成熟的硅微电子工艺兼容,加上优越的性能,在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用.III-Ⅴ族半导体材料在1.3~1.55μm具有较大的吸收系数,是理想的吸收区材料;然而,III-Ⅴ族半导体材料价格昂贵、导热性能不好,机械性能较差,并且与现有成熟的硅基工艺兼容性差,限制了其在光电集成技术中的应用.而SiGe材料与Si基微电子器件的制作工艺相兼容,应变的外延Ge材料吸收波长扩展到了1.6μm以上,因此研究Si基外延纯Ge探测器引起人们极大兴趣.本文综述了硅基硅锗材料在探测器研制及材料制备方面的主要进展情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡志猛		12	45	1.0	6.0