巨介电常数陶瓷CaCu3 Ti4 O12的研究进展?

• 作者: 余花娃 宋江 成鹏飞 李建英 李盛涛 王秋萍
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: CaCu3 Ti4 O12 巨介电常数 介电损耗
• 年，卷（期）: 2016,（19）
• 页码范围: 89-94
• 页数: 6页
• 分类号: TN704
• 字数: 4908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.19.013

摘要

CaCu3 Ti4 O12(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性，这使得 CCTO 可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了 CCTO 高介电常数起源的内禀机制和外禀机制，详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响，阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联，肯定了晶粒电导赝极化理论，指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于：基于外禀机制的 IBLC模型，通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导，进而调控CCTO的介电损耗，使 CCTO 保持较高介电常数的前提下，在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王秋萍	西安工程大学理学院	20	66	5.0	7.0
2	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
3	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
4	余花娃	西安工程大学理学院	18	39	3.0	5.0
5	李建英	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	80	757	17.0	24.0
6	宋江	西安工程大学理学院	2	7	1.0	2.0