集成电路BCD七段译码器抗静电技术

• 作者: 薛建国
• 来源期刊: 科技展望
• 关键词: ESD 版图 圆角型结构 氢氧合成掺氯氧化
• 年，卷（期）: 2016,（22）
• 所属期刊栏目: 水利与电力
• 页码范围: 103-104
• 页数: 2页
• 字数: 3660字
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了集成电路（ IC ）静电损伤的原因，静电损伤出现的失效模式主要有输入结击穿、软击穿、漏电流增大。芯片输入端的二极管被静电击穿导致电路失效。通过集成电路BCD七段译码器抗静电（ESD）版图设计及工艺改进，使器件抗静电电压达到2500V以上。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛建国		3	0	0.0	0.0