利用密度泛函理论对Si2BnN(0±)n+2(1≤n≤4)团簇结构及性质的研究

• 作者: 田春山
• 来源期刊: 青海大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Si2BnN(0±)n+2(1≤n≤4)团簇 电子态 平均结合能 能隙
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 93-98
• 页数: 6页
• 分类号: O561.2
• 字数: 4546字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13901/j.cnki.qhwxxbzk.2017.03.016

摘要

由于Si与BN晶体有着特殊的物化性质,对SiBN三元掺杂团簇结构、性质的研究及功能材料的研发有着重要的意义.文中采用密度泛函理论中的B3LYP/6-31G(D)方法,对Si2BnN(0±)n+2(1≤n≤4)团簇所有可能构型进行了全面优化,得到相应基态结构,进一步研究了团簇对称性、电子态、平均结合能、能隙(HOMO-LUMO)、键角N-Si-N和N-B-N.结果表明:团簇Si2BnN(0±)n+2基态均为平面单环或近似平面单环结构,平均结合能随n均单调递增;正离子团簇相比中性团簇能隙均增加,化学稳定性增强,当n=2时能隙增加最大,值为12.969 ev;Si2BnN(0±)n+2(1≤n≤4),Si,B,N平均自然电荷分别为1.053,0.718,-0.858 e,Si2BnN (+)n+2(1≤n≤4),Si,B,N平均自然电荷分别为0.920,0.487,-0.457 e,Si2BnN (-)n+2(1≤n≤4),Si,B,N平均自然电荷分别为0.294,0.247,-0.491 e .全面优化获得(BN)n团簇在结构、对称性、能量等方面与已有研究的(BN)n团簇符合的较好,说明计算是可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田春山	青海大学基础部	22	41	3.0	6.0