Si3Xn (X=C,O,N;n=1,2)团簇的密度泛函研究

• 作者: 李兵 盛勇 齐凯天
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si3Xn(X=C,O,N,n=1,2)团簇 密度泛函理论 结构与性质
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 901-906
• 页数: 6页
• 分类号: O56
• 字数: 2640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2008.04.028

摘要

使用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G*基组水平上对Si3Xn(X=C,O,N;n=1,2)团簇各种可能的构型进行几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子结构、振动特性、成键特性和电荷特性等进行了理论研究.结果表明团簇的几何结构都是平面结构,通常Si3X2出现是Si-X键,较少出现X-X键;而Si3X中出现Si-X键和Si-Si键共存,Si3Xn(X=C,O,N;n=1,2)团簇的电荷布局分布表明这种电荷转移的作用使得团簇中所有X原子呈负电性,Si原子显正电性.处于不同位置的Si原子呈不同大小布局数,而且由于Si3X2的对称性,2个X负电性相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛勇	四川大学材料科学与工程学院	40	255	10.0	14.0
2	李兵	四川大学材料科学与工程学院	25	84	4.0	8.0
3	齐凯天	四川大学材料科学与工程学院	6	29	4.0	5.0