1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能与高可靠性

• 作者: Marc Buschkühle
• 来源期刊: 电子产品世界
• 关键词: 电源转换器 SiC MOSFET 逆变器
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 设计应用
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 字数: 2938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2017.6.020

摘要

SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势.当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等.可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案.英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Marc Buschkühle		1	1	1.0	1.0