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基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能
基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能
作者:
周晓敏
马后成
高大威
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
燃料电池汽车
直流—直流(DC-DC)变换器
交错式双Boost电路
SiC金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
电路损耗
摘要:
为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流—直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件.基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、SiC二极管]、SiCMOSFET和Si二极管的混合器件和全硅Si[绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、Si二极管]的变换器在电路损耗.结果表明:Si IGBT的开通和关断损耗约是SiC MOSFET的3倍和10倍,在不同工况下,全SiC变换器的转换效率比全Si变换器高1%~3.1%.因而,SiC功率器件在大功率DC-DC变换器的应用中,能够提高功率密度、可靠性和动力系统工作效率.
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变结构控制
开关电容DC-DC变换器
Cuk
DC-DC变换器
转换效率
基于电流型DC-DC变换器建模与分析
电路平均法
电流型DC-DC变换器
建模
传递函数
内容分析
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相关学者/机构
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文献信息
篇名
基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能
来源期刊
汽车安全与节能学报
学科
工学
关键词
燃料电池汽车
直流—直流(DC-DC)变换器
交错式双Boost电路
SiC金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
电路损耗
年,卷(期)
2017,(1)
所属期刊栏目
汽车节能与环保
研究方向
页码范围
79-86
页数
8页
分类号
TM131.3
字数
4812字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1674-8484.2017.01.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
周晓敏
北京科技大学机械工程学院
72
810
18.0
26.0
2
高大威
清华大学汽车安全与节能国家重点实验室
22
226
8.0
14.0
3
马后成
北京科技大学机械工程学院
2
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传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
燃料电池汽车
直流—直流(DC-DC)变换器
交错式双Boost电路
SiC金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
电路损耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
汽车安全与节能学报
主办单位:
清华大学
出版周期:
季刊
ISSN:
1674-8484
CN:
11-5904/U
开本:
16开
出版地:
北京清华大学汽车研究所
邮发代号:
创刊时间:
2010
语种:
chi
出版文献量(篇)
663
总下载数(次)
1
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