室温纳米压印制备中的共性关键工艺问题

• 作者: 张立辉 施玉书 朱振东 李伟 李琪 李群庆 李适 范守善 高思田
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 室温纳米压印 光刻胶剩余 图形转移技术 纳米刻蚀 亚波长光栅
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 43-47,70
• 分类号: O482.5|O488
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.01.008

摘要

纳米压印光刻技术具有低成本、高效率、大面积、高分辨、多尺度、良好的工艺兼容性等特点,可用于亚波长光电子器件的研究.提出了硅水合物(HSQ)/聚丙烯酸甲酯(PMMA)双层胶室温纳米压印工艺方法,研究并解决了有关压印光刻胶剩余底膜和纳米图形保真性刻蚀转移的两个关键工艺技术问题.以制备特定需求的石英纳米光栅器件为目标,经过工艺优化,成功地实现了周期200 nm、占空比0.5、深宽比5∶1、栅线侧壁垂直且粗糙度小于3 nm的高分辨率亚波长光栅的制备.所提出的双层胶刻蚀方法,有望拓展到纳米标准物质和芯片级光学频率梳器件等对侧壁陡直和粗糙度有严格要求的应用领域.