晶硅太阳电池黑斑分析

• 作者: 刘京明 刘彤 和江变 董志远 谢辉 赵有文 陈晓玉 马承红
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: EL测试 黑斑 能谱分析 X射线荧光光谱 外量子效率
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 21-25
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.01.005

摘要

p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中,部分电池片出现黑斑现象.结合X射线能谱分析(EDS),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能.利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域,发现黑斑处Ca含量较大,并出现Sr、Ge和S等杂质元素.将6个档位的电池片制备成2 cm×2 cm的电池样片,利用光生诱导电流测量了每个电池的外量子效率(EQE).在460～1 000 nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的EQE相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷.给出了杂质引入的原因以及解决途径,从而显著减小了黑斑片产生的几率.