大高宽比硬X射线波带片制作及聚焦测试

• 作者: 史丽娜 李海亮 牛洁斌 王冠亚 谢常青
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 硬X射线波带片 电子束光刻 大高宽比波带片 电子束光刻 镂空薄膜
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: X射线光学
• 页码范围: 2803-2809
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20172511.2803

摘要

为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2 keV)需要的高宽比高分辨率波带片,本文利用高加速电压(100 kV)电子束光刻配合Si3 N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法,对硬X射线波带片制作技术进行了蒙特卡洛模拟和电子束光刻实验.模拟结果显示:Si3 N4镂空薄膜衬底可以有效降低电子在抗蚀剂中传播时的背散射,进而改善高密度大高宽比容易引起的结构倒塌和粘连问题.通过调整电子束的曝光剂量,在500 nm厚的镂空Si3 N4薄膜衬底上制备出最外环宽度为150 nm、金吸收体的厚度为1.6μm,高宽比大于10的硬X射线波带片.同时,引入随机支撑点结构,实现了波带片结构自支撑,提高了大高宽比波带片的稳定性.将利用该工艺制作的波带片在北京同步辐射装置X射线成像4W1A束线8 keV能量下进行了聚焦测试,得到清晰的聚焦结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢常青	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	50	258	9.0	12.0
2	李海亮	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	5	24	3.0	4.0
6	牛洁斌	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	12	43	4.0	6.0
7	史丽娜	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	6	19	3.0	4.0
8	王冠亚	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	1	3	1.0	1.0