Y、Zr、Nb掺杂ZnS半导体第一性原理计算

• 作者: 刘远全
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 能带结构 态密度 ZnS
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 969-972
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2017.05.027

摘要

本文采用第一性原理研究了Y,Zr,Nb在Zn位掺杂ZnS半导体的能带结构和态密度.研究结果表明:Y,Zr,Nb掺杂体系的价带顶与导带底都在布里渊区的G点,为直接带隙半导体材料,掺杂对带隙宽度影响不大,掺杂结构的导带向低能区移动;Y,Zr,Nb在Zn位掺杂的ZnS的费米能级从价带顶移至导带底,说明掺杂后ZnS半导体材料从p型转变为n型,同时费米能级处出现数条杂质能级;Y,Zr,Nb掺杂体系的总态密度的贡献主要来源于Zn 4s、Y,Zr,Nb的4d 5s以及S 3p相互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘远全	重庆财经职业学院应用设计系	14	25	3.0	4.0