Ni掺杂ZnS的第一性原理计算

• 作者: 张朝阳 曾冬 符春林 蔡苇 谭平 郭倩
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 第一性原理 硫化锌 电子结构 光学性质 掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 166-171
• 页数: 6页
• 分类号: O649|O472
• 字数: 2896字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线.结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料.掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动；在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂.纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高.掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张朝阳	中国工程物理研究院化工材料研究所	36	233	10.0	13.0
2	蔡苇	重庆科技学院冶金与材料工程学院	80	471	12.0	17.0
3	符春林	重庆科技学院冶金与材料工程学院	77	351	10.0	15.0
7	郭倩	重庆科技学院冶金与材料工程学院	2	15	2.0	2.0
8	曾冬	重庆科技学院冶金与材料工程学院	1	6	1.0	1.0
9	谭平	重庆科技学院冶金与材料工程学院	1	6	1.0	1.0