无压惰性气氛银烧结层空洞率影响因素研究

• 作者: 彭浩 徐文辉 李聪成 滕鹤松 牛立刚 王玉林
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 银烧结技术 裸铜基板 无压烧结 空洞率 封装
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 6-9,14
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94|TG146.3+2
• 字数: 3319字
• 语种: 中文

摘要

在SiC功率模块的封装中,银烧结技术被认为是连接芯片到基板最为合适的技术.裸铜表面无压银烧结技术无需在芯片表面施加压力,降低芯片损伤风险;基板铜层无需贵金属镀层,提高了烧结层的可靠性,降低了材料成本.对裸铜表面无压银烧结技术展开研究,对于6.3 mm×6.3 mm及以下面积的芯片得到了空洞情况良好的烧结层.对影响烧结层空洞率的因素进行了研究,分析了芯片面积、烧结温度曲线、抽真空步骤和贴片质量对烧结层空洞率的影响.