焊层空洞对IGBT芯片温度的影响

• 作者: 苏立昌 郝建红
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 焊层空洞 IGBT模块 有限元 芯片焊层 热分析 芯片温度
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术及应用
• 页码范围: 151-156
• 页数: 6页
• 分类号: TN32-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2018.03.035

摘要

焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响.对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小、空洞形状、空洞数量及空洞分布对IGBT芯片温度分布的影响.研究结果表明:芯片焊层空洞对芯片温度的影响较大,衬板焊层空洞对芯片温度的影响较小;贯穿型空洞对芯片温度的影响要大于非贯穿型空洞;单个空洞越大,IGBT芯片温度越高;相同形状的空洞,处于边角位置比处于焊层内部对芯片温度影响大;多个空洞分布越集中,芯片温度越高;焊层缝隙对芯片温度的影响要小于空洞对芯片温度的影响.因此,在封装过程中应避免出现芯片焊层空洞,以提高IGBT的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝建红	华北电力大学现代电子科学研究所	95	380	11.0	16.0
2	苏立昌	华北电力大学现代电子科学研究所	1	0	0.0	0.0