InP/Al2O3堆栈在退火过程中的热稳定性研究

• 作者: 朱云娜 王星录 董红
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 角分辨X射线光电子能谱 InP 退火 扩散 脱吸附
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 43-46,58
• 页数: 5页
• 分类号: TN312
• 字数: 2920字
• 语种: 中文

摘要

源于其高电荷迁移率,Ⅲ-V族半导体材料有望在10 nm技术节点以下的低功耗晶体管上得到采用.采用角分辨X射线光电子能谱(ARXPS),表征了InP/Al2O3堆栈退火前后的界面化学,元素扩散与脱吸附.InP/Al2O3堆栈在退火前后均存在In氧化物,在退火温度增加到500℃时In氧化物有脱吸附现象.在500℃退火后,P氧化物的扩散现象被角分辨XPS观察到.界面元素扩散和脱吸附会大大影响界面态密度及器件的电学性能,并直接影响其稳定性和可靠性.本文显示InP器件在制造过程中应该进行有效的界面钝化,避免高温工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱云娜	南开大学电子信息与光学工程学院	1	0	0.0	0.0
2	王星录	南开大学电子信息与光学工程学院	2	0	0.0	0.0
3	董红	南开大学电子信息与光学工程学院	2	0	0.0	0.0