半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究

• 作者: 刘炳灿 李华 田强
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 有效量子限制长度 分数维方法 极化子 GaAs薄膜
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 395-398
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 2212字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16360/j.cnki.jbnuns.2017.03.004

摘要

采用提出的等效方法,确定A1xGa1xAs衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度,在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维,进一步利用分数维方法研究了AlxGa1-xAs衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理学系	81	389	11.0	16.0
2	李华	装甲兵工程学院基础部	48	218	9.0	12.0
3	刘炳灿	装甲兵工程学院基础部	14	25	4.0	4.0