NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的高介电性质及相关机制的研究

• 作者: 孙礼 张雍家 徐攀攀 曹恩思 杨帅 王明文 郝文涛
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12 高介电性质 CuO第二相 元素变价 内阻挡层电容效应
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1029-1034
• 页数: 6页
• 分类号: TM283
• 字数: 2787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160702

摘要

在不同烧结温度下,利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷,系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱.结果显示,所有的NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结构,介电性质随烧结温度变化很大.高于1020℃烧结的陶瓷的室温相对介电常数大于3000,具有高介电性质.复阻抗谱显示,NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的电学分布不均匀,由绝缘性的晶界和半导性的晶界组成.通过XRD和XPS测试发现,在陶瓷中观察到了CuO第二相和Cu、Ti、Sb、Ta离子的变价.因此,利用内阻挡层电容效应可以解释NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的高介电性质.