掺硼 p 型晶体硅太阳电池B-O缺陷致光衰及其抑制的研究进展

• 作者: 艾斌 邓幼俊
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体硅太阳电池 硼-氧缺陷 光衰 复原
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TM615
• 字数: 5422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13471/j.cnki.acta.snus.2017.03.001

摘要

掺硼p型晶体硅太阳电池一直牢牢占据着光伏市场的主导地位,但硼-氧(B-O)缺陷引起的光衰(LID:Light induced degradation)极大地限制了它的发展.最新的对太阳电池加热同时注入少数载流子的B-O缺陷"复原"(regeneration)技术有望彻底解决掺硼p型晶体硅太阳电池的LID问题.鉴于掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施的研究对提高晶体硅太阳电池性能表现的长期稳定性有重要作用,回顾了近年在掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施方面的研究进展,并对最新发展出的B-O缺陷"复原"技术给予了重点介绍.