175Hf的半衰期测量

• 作者: 丁有钱 刘峙嵘 张生栋 张雄寓 王秀凤 马鹏
• 来源期刊: 核化学与放射化学
• 学科: 工学
• 关键词: 175Hf 半衰期 无载体
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 核化学与放射分析化学
• 页码范围: 218-222
• 页数: 5页
• 分类号: TL816
• 字数: 4716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/hhx.2017.39.03.0218

摘要

175Hf现有的半衰期数据偏少且分歧较大,对核参数的准确使用不利.本实验通过加速器质子束流轰击175Lu,并使用HDEHP萃淋树脂进行离子交换,得到无载体无181 Hf干扰的高纯度175Hf液体测量源,对其中的杂质65Zn与56Co的去污因子分别为5.2×10 3与2.3×103;引入一固定位置的监督源137Cs与175 Hf进行了40 d的连续测量,对343 keV以及661 keV γ射线计数率的比值关于测量时间进行线性拟合,得到175 Hf的半衰期为(70.73±0.25)d,并对测量结果进行了相关检验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峙嵘	东华理工大学省部	130	1088	15.0	25.0
2	丁有钱	中国原子能科学研究院放射化学研究所	46	84	4.0	7.0
3	张生栋	中国原子能科学研究院放射化学研究所	72	145	5.0	9.0
4	马鹏	中国原子能科学研究院放射化学研究所	11	11	2.0	3.0
5	王秀凤	中国原子能科学研究院放射化学研究所	8	0	0.0	0.0