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摘要:
为了降低旁瓣,提高子阵增益,设计了一种Ka波段低旁瓣四单元切比雪夫有源子阵.利用电磁场仿真软件对无源子阵和有源放大电路进行仿真与优化.实物测试结果表明,有源子阵在28~29.5 GHz频段内S11<-10 dB,增益为16.3 dB,H面旁瓣电平为-13.4 dB,相比于无源子阵,有源子阵相对带宽提高了2.4%,增益增加了6.3 dB.
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文献信息
篇名 Ka波段低旁瓣四单元切比雪夫有源子阵的设计
来源期刊 桂林电子科技大学学报 学科 工学
关键词 有源子阵 功率放大器 四单元子阵 高增益 小型化
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 173-176
页数 4页 分类号 TN928
字数 1092字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 廖欣 桂林电子科技大学信息与通信学院 30 43 3.0 6.0
2 汤佳龙 桂林电子科技大学信息与通信学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
有源子阵
功率放大器
四单元子阵
高增益
小型化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
桂林电子科技大学学报
双月刊
1673-808X
45-1351/TN
大16开
广西桂林市金鸡路1号
1981
chi
出版文献量(篇)
2598
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1
总被引数(次)
11679
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