一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器

• 作者: 李凡阳 杨涛
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件 振荡器 频率偏移
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 659-662
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 1327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7631/issn.1000-2243.2017.05.0659

摘要

提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移.电路采用0.35 μm标准MOS工艺设计,通过与传统振荡器性能进行仿真比较,该方法振荡频率的偏移量得到明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李凡阳	福州大学物理与信息工程学院福建省集成电路设计中心	6	7	2.0	2.0
2	杨涛	福州大学物理与信息工程学院福建省集成电路设计中心	2	3	1.0	1.0