一种提高SONOS Flash产品VTP/VTE窗口的方法

• 作者: 姚毅 杨继业
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: SONOS Flash ONO VTP&VTE SiON RI
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 44-49
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 2060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.03.011

摘要

在闪存(Flash)中一般都包括一个浮栅电极来存储电荷,现有技术中一般采用氧化物-氮化物-氧化物(简称ONO)结构来作为浮栅电极,制备ONO层的工艺是Flash制造中的关键工艺之一.这是一种通过改善ONO膜层质量而提升SONOS Flash产品VTPNTE工艺窗口的方法.VTPNTE窗口是Flash产品最为关键的特性之一,而SONOS Flash产品的VTPNTE稳定性及窗口大小则取决于ONO膜层的质量.实验数据显示SONOS Flash的VTPNTE窗口与ONO膜层中的SiON膜的氮/氧含量强相关,通过改善ONO设备结构进而得到氮/氧含量分布更均匀的SiON膜的方法,改善了产品V-TPNTE的窗口.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨继业		3	2	1.0	1.0
2	姚毅		2	0	0.0	0.0