硅集成的高Q值、高谐振频率的射频变压器

• 作者: 刘萍 刘黎明 张华斌 杨健君 熊召新 王红航 邓春健 陈卉
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基 射频 品质因子 自谐振频率 变压器
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 161-166
• 页数: 6页
• 分类号: TN453|TN609
• 字数: 3450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.2017.02.004

摘要

提出一种硅基的用于射频集成电路的新型图形结构变压器.考虑到集成无源变压器器件对射频电路性能的提升具有重大的影响,设计时应尽量提升其性能和降低其占用的芯片面积,故采用凹凸24边形结构和顶层、厚铜金属绕线,使得该片上变压器能够同时具有高性能和低芯片面积的优点.基于TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,应用Cadence Virtuoso工具设计出24边形变压器版图,将设计好的版图图形导入安捷伦Advanced Design System Momentum软件,完成新型变压器的电磁场S参数仿真验证.结果表明,与传统的方形、六边形和八边形变压器相比,自谐振频率分别提高了1.12,1.00,0.58 GHz;最大品质因子增加了2.4,0.9和0.3;面积也分别缩小了9%,10%,6%.该变压器在硅基射频集成电路中应用将进一步提高电路的性能和降低芯片成本.