可防误翻转高精度欠压锁存电路设计

• 作者: 姜振益 田磊
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 欠压锁存 防误翻转 带隙比较器 高精度 BCD工艺
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 机械工程? 控制科学与工程
• 页码范围: 2396-2401
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2017.09.019

摘要

在分析传统欠压锁存电路(UVLO: Under voltage lockout)工作原理的基础上,利用VIS 0.4 μm BCD工艺设计一种具有防误翻转功能的高精度欠压锁存电路.该电路由3部分组成,以带隙比较器为核心,引入具有迟滞特性的防误翻转电路以保证欠压锁存信号能安全可靠地输出,并通过调整带隙基准的温度特性保证欠压锁存阈值精度,最后经过放大输出电路放大后,输出稳定的欠压锁存信号.采用Cadence软件对所设计的电路进行仿真.研究结果表明:在-40~125 ℃范围内欠压锁存阈值偏差最大为100 mV,阈值分辨率可达10-5V,在3~5 V工作电压下,防误翻转电路开启阈值为2.95 V,能有效防止欠压锁存电路误翻转.该电路的设计理念和仿真结果有助于后期电源芯片的开发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜振益	西北大学现代物理研究所	22	48	4.0	5.0
2	田磊	西北大学现代物理研究所	23	91	5.0	9.0