Ku波段GaN单片低噪声放大器的研制

• 作者: 凌志健 刘昊 彭龙新 牛超
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 耐功率 GaN 单片
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 27-30,35
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2106字
• 语种: 中文

摘要

研制了一款Ku波段GaN单片低噪声放大器,该放大器采用了GaN 0.25 μm Ku功率工艺,工作电压为10V.在12～18 GHz频带内,噪声NF≤2.9 dB,增益G≥20 dB,输入驻波比VSWR1≤1.8,输出驻波比VSWR2≤1.5.该芯片在16 GHz下,承受38 dBm的大功率输入脉冲(周期为1 ms,占空比为10％)10 min,经测试未发现低噪声放大器芯片烧毁的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭龙新		21	143	7.0	11.0
2	刘昊		1	1	1.0	1.0
3	牛超		1	1	1.0	1.0
4	凌志健		1	1	1.0	1.0